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指南
2020年度廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃“芯片、軟件與計算”（芯片類）重大專項項目
2020 年度共設(shè)置EDA 技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用、集成電路制造工藝、異構(gòu)封裝技術(shù)、裝備及零部件、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)五個專題17 個項目方向，擬支持不超過22 項，項目實施周期為3～4 年。
專題一項目4 與專題二項目2 選取該領(lǐng)域有優(yōu)勢的單位定向委托實施。
申報時間：
申報單位網(wǎng)上集中申報時間：
2020年8月7日～9月7日17:00
主管部門網(wǎng)上審核推薦截止時間：
2020年9月13日17:00
專題一：EDA工具技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用（專題編號：20200127）
項目1：數(shù)字芯片設(shè)計的EDA 技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用
研究內(nèi)容●●
以提升廣東省數(shù)字芯片（包括但不限于：CPU、GPU、FPGA等高端通用芯片、各類處理器，物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級AI（人工智能）芯片等專用芯片，以及面向通信、人工智能、超高清視頻、汽車、衛(wèi)星應(yīng)用、智能家居、智慧醫(yī)療、電子辦公等各類系統(tǒng)級SoC芯片）設(shè)計水平為目標(biāo)，通過EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點支撐定制架構(gòu)、芯片安全、低功耗、異構(gòu)計算、硬件加速等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。
開展集成電路設(shè)計方法學(xué)研究，針對先進節(jié)點數(shù)字芯片設(shè)計中設(shè)計流程多變，時序收斂要求高，布線密度大，功能和性能驗證復(fù)雜度高等設(shè)計方法問題，進行技術(shù)創(chuàng)新，開發(fā)與芯片設(shè)計核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設(shè)計流程自動化、硬件描述和高層次綜合的編程語言與形式化驗證、編程模型與編譯映射、邏輯仿真、邏輯綜合、仿真驗證、布局布線等工具。
將開發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至數(shù)字集成電路芯片設(shè)計中，提升億門級數(shù)字芯片的設(shè)計質(zhì)量及效率，并在芯片設(shè)計過程中對EDA工具進行驗證及優(yōu)化。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵芯片設(shè)計單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。
支持強度●●
擬支持2～3項，資助額度不超過1000萬元/項。
項目2：模擬或數(shù)?；旌霞呻娐沸酒O(shè)計的EDA 技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用
研究內(nèi)容●●
以提升廣東省模擬或數(shù)模混合芯片（包括但不限于：
功率器件、傳感器、射頻電路、顯示驅(qū)動電路、電源管理電路、毫米波電路等芯片）設(shè)計水平為目標(biāo)，通過EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點支撐新工藝、新架構(gòu)、信號完整性、芯片穩(wěn)定性、異質(zhì)集成等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。
開展集成電路設(shè)計方法學(xué)研究，針對先進工藝節(jié)點或特色工藝節(jié)點的模擬或數(shù)?；旌霞呻娐沸酒O(shè)計中自動化程度偏低，計算機仿真、驗證復(fù)雜度高等設(shè)計方法問題，進行技術(shù)創(chuàng)新，開發(fā)與芯片設(shè)計核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設(shè)計流程自動化、電路仿真分析等工具，重點突破傳統(tǒng)SPICE框架，仿真精度與實測電路性能相比誤差在10%以內(nèi)。
將開發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至模擬與數(shù)模混合集成電路芯片設(shè)計中，提升芯片的設(shè)計質(zhì)量及性價比，并在芯片設(shè)計過程中實現(xiàn)EDA工具的驗證優(yōu)化及應(yīng)用。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵芯片設(shè)計單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。
支持強度●●
擬支持1～2項，資助額度不超過1000萬元/項。
項目3：存儲芯片設(shè)計的EDA 技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用
研究內(nèi)容●●
以提升廣東省存儲芯片設(shè)計水平為目標(biāo)，通過EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點支撐新協(xié)議、存算一體、物理不可克隆、大容量、自糾錯、穩(wěn)定性等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。
開展集成電路設(shè)計方法學(xué)研究，針對先進節(jié)點（14納米或以下）存儲芯片設(shè)計中晶體管密集，設(shè)計余量低，工藝偏差對芯片質(zhì)量和良率影響大等設(shè)計方法問題，進行技術(shù)創(chuàng)新，開發(fā)與芯片設(shè)計核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于存儲編譯器、高精度仿真工具、快速驗證工具等，充分利用存儲芯片陣列高度結(jié)構(gòu)化的特點，通過網(wǎng)絡(luò)劃分，模型降階以及超大規(guī)模并行化等創(chuàng)新技術(shù)，在維持足夠低精度的前提下提高仿真效率、容量和速度；
研究快速蒙特卡洛方法等新技術(shù)，提升高Sigma驗證的準(zhǔn)確性及速度。
將開發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至閃存、DRAM、SRAM和MRAM等先進存儲芯片設(shè)計中，提升芯片的設(shè)計質(zhì)量及效率，并在芯片設(shè)計過程中對實現(xiàn)EDA工具的優(yōu)化及應(yīng)用。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵芯片設(shè)計單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
專題二：集成電路制造工藝（專題編號：20200128）
項目1：基于模擬特色工藝的器件精準(zhǔn)模型及PDK 工藝庫研發(fā)
研究內(nèi)容●●
以重點提升廣東省模擬芯片，尤其高端數(shù)?；旌闲酒O(shè)計以及其工程化設(shè)計水平為目標(biāo)，攻克特色模擬半導(dǎo)體工藝、基于特色模擬工藝的精確器件物理模型以及芯片設(shè)計PDK 工藝庫。
從半導(dǎo)體材料本質(zhì)出發(fā)，開展基礎(chǔ)性器件物理研究，突破可復(fù)制的從特色工藝、器件物理模型、到芯片設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)。
圍繞高性能數(shù)模混合芯片設(shè)計需求及產(chǎn)業(yè)化“瓶頸”，重點研發(fā)能精確反映特色工藝的器件物理模型（包括不同偏置狀態(tài)、溫度條件、工藝角、工藝波動等）以及其相關(guān)的噪聲模型和可靠性模型，構(gòu)建靈活、精簡、高效的半導(dǎo)體器件緊湊模型，尤其是有源器件的模型，并能實現(xiàn)與各類EDA 工具的快速整合，提升仿真效率，優(yōu)化模型的收斂速度。
進一步建立不少于一個典型芯片的基于特色工藝及模型的芯片設(shè)計PDK 工藝庫，開發(fā)高端的數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)品，包括但不限于高精度、低漂移電壓基準(zhǔn)，超低失調(diào)電壓放大器，高精度模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片、IO 以及ESD 宏模型等，為芯片設(shè)計整體精準(zhǔn)仿真提供平臺。
申報要求●●
須芯片制造企業(yè)牽頭承擔(dān)。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過2000 萬元/項。
專題三：集成電路封裝關(guān)鍵技術(shù)（專題編號：20200129）
項目1：異構(gòu)集成關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用
研究內(nèi)容●●
以研發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進的精細線路芯片間異構(gòu)互連多器件封裝為重點，開展基于三維封裝、扇出封裝、晶圓級封裝、倒裝芯片封裝、DFN/QFN 無引線封裝、系統(tǒng)級封裝、真空封裝、MEMS 技術(shù)等先進封裝技術(shù)的集成創(chuàng)新研發(fā)，實現(xiàn)功能化元器件架構(gòu)創(chuàng)新、5μm 到40μm 的線寬線距的高帶寬芯片間的高能效處理器和儲存器互連、緊湊型系統(tǒng)集成等，在射頻模塊、功率器件、傳感器、存儲器單元、光電異構(gòu)器件，以及集成硅器件和無源器件（如大容量電容、特種電感、濾波器）等領(lǐng)域開展產(chǎn)品應(yīng)用。
產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)要優(yōu)于傳統(tǒng)工藝的指標(biāo)，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先。
掌握核心生產(chǎn)制造技術(shù)，儲備知識產(chǎn)權(quán)，為量產(chǎn)指明方向。
支持強度●●
擬支持2 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
項目2：先進精細線路封裝面板級工藝研發(fā)
研究內(nèi)容●●
開發(fā)和量產(chǎn)在200mm 以上面板尺寸基于高密度精細線路的剛性基板、柔性基板、剛?cè)峤Y(jié)合基板等高端封裝基板，推動高密度高精度（最小線寬線距，放焊材料，開孔等）和高性能（低損耗，高可靠性，小尺寸高頻）的封裝基板制造的自主可控國產(chǎn)化。
開發(fā)面板級扇出封裝射頻和功率器件的量產(chǎn)，實現(xiàn)高集成度、小尺寸、價格有競爭力的新面板級扇出封裝產(chǎn)業(yè)化，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
專題四：集成電路裝備及零部件（專題編號：20200130）
項目1：遠程等離子源研發(fā)
研究內(nèi)容●●
研究基于高頻電壓的電極負直流電壓產(chǎn)生技術(shù)、正離子轟擊電極加速技術(shù)、雙高頻電壓離子轟擊及高離子通量放電協(xié)同控制技術(shù)、遠程大口徑等離子產(chǎn)生及遠程穩(wěn)定維持技術(shù)；
研究等離子體內(nèi)部離子密度測量、溫度測量，空間分布均勻性測量、自由基測定，借助發(fā)射光譜分析轉(zhuǎn)動能帶，遠程原位等離子體原位診斷技術(shù)、X 射線光譜和等離子體圖像獲取等原位測試分析技術(shù)，研制遠程等離子體源設(shè)備，并在芯片制造行業(yè)開展示范應(yīng)用，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
項目2：高溫高精度分子束源爐研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研究內(nèi)容●●
面向量子器件、紅外與毫米波器件以及5G 通訊技術(shù)發(fā)展需求，開展分子束（MBE）源爐加熱單元的熱力學(xué)分析，突破凸凹熱屏蔽技術(shù)和寬接觸補償熱偶控溫技術(shù)，實現(xiàn)多溫區(qū)高精度測溫、控溫與保溫結(jié)構(gòu)設(shè)計，研制具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高溫高精度MBE 源爐，并在國產(chǎn)FW-VI 型分子束外延設(shè)備上開展示范應(yīng)用，外延生長出GaAs、AlGaAs、InGaAs等高質(zhì)量材料，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先，滿足新型器件的制備需求。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過2000 萬元/項。
項目3：碳化硅高溫氧化爐裝備研發(fā)
研究內(nèi)容●●
研發(fā)高溫氧化爐裝備，研究降低單極性器件金屬氧化物場效應(yīng)管（MOSFET）柵介質(zhì)SiO2與碳化硅（SiC）之間的界面態(tài)密度的技術(shù)，提升溝道載流子遷移率；
調(diào)控混合型雙極型器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT）結(jié)構(gòu)中的n型漂移區(qū)以及p型空穴注入?yún)^(qū)的載流子壽命。提高遷移率，降低器件的導(dǎo)通損耗；
將載流子壽命控制在一定范圍之內(nèi)，大幅提升SiC器件的高頻性能，保持器件開關(guān)頻率特性的同時使關(guān)斷損耗下降，從而降低器件的功耗，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
項目4：半導(dǎo)體設(shè)備用低溫泵研發(fā)
研究內(nèi)容●●
研究小型G-M 制冷機的超低溫氣體捕獲機理及氦氣專用壓縮機技術(shù)，對制冷機單元和真空抽氣單元的進行模型和設(shè)計仿真；
開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的低溫泵智能控制系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)低溫泵組控制系統(tǒng)；
研究大抽氣容量和快速壓力回收技術(shù)，開發(fā)薄壁氣缸、超低溫（10K）回?zé)崞鳌⒊蜏兀?0K）密封件等核心零部件量產(chǎn)技術(shù)；
建立半導(dǎo)體用低溫泵評價體系，制定半導(dǎo)體用低溫泵相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
研發(fā)半導(dǎo)體用低溫泵系統(tǒng)與高端裝備國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備專用低溫泵，并開展產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)研究，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
項目5：高精度無掩模激光直寫制版技術(shù)與裝備
研究內(nèi)容●●
研究可用于穩(wěn)定制作高精度集成電路掩模版的高性能激光直寫裝備關(guān)鍵工藝技術(shù)，研究激光光束準(zhǔn)直、擴束和聚焦，鏡頭設(shè)計，電動平臺傳動控制（主要為工件臺速度與精度），視覺識別及反饋控制，拼接及套刻精度控制，系統(tǒng)控制軟件的設(shè)計等環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)，研究整機制造技術(shù)，開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)高精度無掩模激光直寫制版裝備，在高精度光學(xué)掩模版及傳感器芯片等制造中開展示范應(yīng)用，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
項目6：300mm 圖形套刻對準(zhǔn)測量設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研究內(nèi)容●●
面向國內(nèi)20-14nm 節(jié)點的集成電路檢測和測量需求，開發(fā)圖形套刻對準(zhǔn)測量設(shè)備，突破關(guān)鍵技術(shù)，獲得核心自主知識產(chǎn)權(quán)。
完成關(guān)鍵技術(shù)與核心部件研發(fā)，包括高數(shù)值孔徑高角分辨率散射成像技術(shù)、多通道高信噪比光譜信號提取技術(shù)、高精度套刻量測信號解析技術(shù)、強魯棒性自適應(yīng)光學(xué)聚焦技術(shù)、高速高精度晶圓運動位移控制技術(shù)、高速圖像數(shù)據(jù)處理技術(shù)等。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
專題五：集成電路創(chuàng)新生態(tài)（專題編號：20200131）
項目1：面向國產(chǎn)計算芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用
研究內(nèi)容●●
研究基于國產(chǎn)計算芯片的自主可控計算平臺技術(shù)，開展高能效、低功耗的體系架構(gòu)創(chuàng)新，優(yōu)化芯片設(shè)計，提升芯片計算能力，形成自主知識產(chǎn)權(quán)。
針對數(shù)據(jù)中心大數(shù)據(jù)計算、分布式存儲、ARM 原生應(yīng)用等場景，優(yōu)化分支預(yù)測算法、提升運算單元數(shù)量、改進內(nèi)存子系統(tǒng)架構(gòu)，提高國產(chǎn)芯片性能。
研究優(yōu)化系統(tǒng)適用性和集成度的架構(gòu)創(chuàng)新方法，實現(xiàn)不同功能類型芯片的異構(gòu)集成。
研究示范應(yīng)用所需要的應(yīng)用遷移技術(shù)、性能分析調(diào)優(yōu)技術(shù)，面向重點行業(yè)和關(guān)鍵業(yè)務(wù)，有效開展計算平臺在相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化示范應(yīng)用，提升國產(chǎn)計算平臺的競爭力和產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元左右/項。
項目2：面向星基增強高精度超低功耗北斗芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用
研究內(nèi)容●●
針對國產(chǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)在航空、交通、智慧物聯(lián)、船舶、應(yīng)急救援等重點領(lǐng)域的應(yīng)用需求，研制新一代基帶信號處理、射頻信號處理、多源融合一體化定位、定位與短報文一體化等芯片與模組，優(yōu)化并完善國產(chǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的生態(tài)鏈。
針對當(dāng)前終端產(chǎn)品定位精度不足、抗干擾能力差等現(xiàn)狀，突破衛(wèi)星信號高精度跟蹤、信源識別防欺騙等關(guān)鍵技術(shù)，研制高精度、抗干擾基帶信號處理芯片與射頻信號處理芯片。
針對模組功耗高、體積大等現(xiàn)狀，突破多源融合定位信號接入、低噪聲射頻接收與抗干擾等技術(shù)，研制低功耗、低成本、多源融合一體化定位芯片。
針對遠洋漁業(yè)、航運等領(lǐng)域中全球覆蓋性要求高、全球短報文服務(wù)系統(tǒng)容量大等應(yīng)用需求，突破智能位姿感知、選頻發(fā)射等技術(shù)，研制定位與短報文一體化芯片。
選擇上述的一個方向開展研究，所研發(fā)芯片應(yīng)通過第三方權(quán)威機構(gòu)的檢測與認證，在具體民用產(chǎn)品上取得規(guī)?；瘧?yīng)用與推廣。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。
支持強度●●
擬支持1 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
項目3：大型裝置中高性能電子元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研究內(nèi)容●●
汽車電子系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)、高端電視（4K 和8K 等）等裝置中大量使用的高性能處理器和大功率驅(qū)動器件，如微控制器、模數(shù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器件、電源管理器、射頻模塊/芯片、功率驅(qū)動器件等，對整機成本與性能具有決定性作用。
本專題擬以裝置中使用的高性能集成電路開展高性能電子元器件研發(fā)攻關(guān)，并完成實際應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化，形成知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品。
工業(yè)類控制器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、處理器等，開展系統(tǒng)上優(yōu)化集成，突破創(chuàng)新架構(gòu)，在算力提升和先進工藝制造、系統(tǒng)集成與開發(fā)、高性能編/解碼等方面取得突破；
電源管理芯片在精密基準(zhǔn)技術(shù)、高響應(yīng)高可靠性控制技術(shù)、噪聲和紋波抑制技術(shù)，提高芯片應(yīng)用水平的上取得突破；
功率驅(qū)動器件在可靠性、擊穿電壓和工作結(jié)溫提升上實現(xiàn)突破。
通過本項目的實施，鼓勵具有廣泛產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)、良好投資實力和研發(fā)能力的大企業(yè)發(fā)揮自身的應(yīng)用優(yōu)勢，瞄準(zhǔn)最核心部件開展研發(fā)，實現(xiàn)核心半導(dǎo)體芯片和元器件的國產(chǎn)以及整機系統(tǒng)應(yīng)用。
申報要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。
支持強度●●
擬支持2 項，資助額度不超過1000 萬元/項。
聯(lián)系人及電話
1.高新技術(shù)處（專題業(yè)務(wù)咨詢）：
李傳印，020-83163875
2.業(yè)務(wù)受理及技術(shù)支持：
020-83163930、83163338
3.資源配置與管理處（綜合性業(yè)務(wù)咨詢）：
司圣奇 020-83163838
制作：省科技監(jiān)測中心
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